R. Karaya, H. Furuichi, T. Nakajima, N. Tokuda, and T. Kawae
H-terminated diamond field-effect transistor with ferroelectric gate insulator
Applied Physics Letters 108 (2016) 242101
T. Kobayashi, N. Hori, T. Nakajima, and T. Kawae
Electrical characteristics of MoS2 field-effect transistor with ferroelectric VDF-TrFE copolymer gate structure
Applied Physics Letters 108 (2016) 132903
川江 健
強誘電体をゲートとしたダイヤモンド電界効果トランジスタの開発
エネルギーデバイス, 3 (2016) 43
渡邊貞宗、清水勝基、中嶋宇史、川江 健
MoS2をチャネルとした1T型強誘電体メモリの作製
平成28年度 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会（富山県民会館）
古市浩幹、庄司駿輔、川江 健
CSD法で堆積したAl2O3をバッファとしたH終端ダイヤモンドMOSFET
平成28年度 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会（富山県民会館）
柄谷涼太、馬場一気、吉田 稜、庄司駿輔、中嶋宇史、松本 翼、徳田規夫、川江 健
強誘電体をゲート絶縁膜としたボロンドープダイヤモンドFET
平成28年度 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会（富山県民会館）
尾澤秋弘、井藤聡詞、川江 健
c面サファイア基板上に堆積したβ型Ga2O3薄膜の結晶性及び電気特性評価
平成28年度 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会（富山県民会館）
森 陽介、叶田翔平、庄司駿輔、中嶋宇史、徳田規夫、川江 健
HFCVDで形成した多結晶ダイヤモンドをチャネルとしたMFS型FET
平成28年度 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会（富山県民会館）
R. Karaya, Y. Mori, H. Furuichi, I. Baba, T. Nakajima, N. Tokuda, and T.
Kawae
H-terminated diamond field-effect transistor with ferroelectric gate insulator
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016)
Tsukuba, Japan
渡邊貞宗、清水勝基、中嶋宇史、川江 健
強誘電体VDF-TrFEをゲートとしたトップゲート型MoS2-FET構造の作製
第77回 応用物理学会秋季学術講演会（新潟市 朱鷺メッセ）
柄谷涼太、古市浩幹、馬場一気、森 陽介、吉田 稜、中嶋宇史、徳田規夫、川江 健
強誘電体をゲート絶縁膜としたホウ素ドープダイヤモンドFET構造の作製
第77回 応用物理学会秋季学術講演会（新潟市 朱鷺メッセ）
S. Watanabe, S. Shimizu, T. Nakajima, and T. Kawae
MoS2 field-effect transistor with ferroelectric VDF-TrFE copolymer top gate
structure
Korea-Japan Conference on Ferroelectricity (KJCFE11)
Seoul, Korea
尾澤秋弘、井藤聡詞、中嶋宇史、川江 健
強誘電体をゲート絶縁膜としたβ-Ga2O3 FET構造の作製
第3回 有機・無機エレクトロニクスシンポジウム（金沢市 しいのき迎賓館）
渡邊貞宗、清水勝基、中嶋宇史、川江 健
強誘電体VDF-TrFEをゲートとしたMoS2-FET構造の作製
第3回 有機・無機エレクトロニクスシンポジウム（金沢市 しいのき迎賓館）
柄谷涼太、古市浩幹、馬場一気、森 陽介、吉田 稜、中嶋宇史、徳田規夫、川江 健
P(VDF-TrFE)をゲートとしたダイヤモンドMFS型FETの作製
第3回 有機・無機エレクトロニクスシンポジウム（金沢市 しいのき迎賓館）
森 陽介、柄谷涼太、古市浩幹、徳田規夫、中嶋宇史、川江 健
P(VDF-TrFE)をゲートとしたMFS型ダイヤモンドFETの開発
第33回 強誘電体応用会議（コープイン京都）
柄谷涼太、古市浩幹、馬場一気、森陽介、中嶋宇史、徳田規夫、川江 健
強誘電体をゲート絶縁膜としたダイヤモンド表面チャネル型FET構造の作製 (2)
第63回 応用物理学会春季学術講演会（東工大）